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MJ11032G中文资料

MJ11032G图片

MJ11032G外观图

  • 大小:116.1KB
  • 厂家:ON Semiconductor
  • 描述: TRANSISTOR; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:120V; Power Dissipation Pd:300W; DC Collector Current:50A; DC Current Gain hFE:18; Operating Temperature Range:-55°C to +200°C; Transistor Case Style:TO-204; No. of Pins:2; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Collector Emitter Voltage Vces:3.5V; Current Ic Continuous a Max:50A; Hfe Min:400; Package / Case:TO-204; Power Dissipation Pd:300mW; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:
  • 标准包装:100
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 单路
  • 系列:-
  • 晶体管类型:NPN - 达林顿
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):50A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):120V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):3.5V @ 500mA,50A
  • 电流 - 集电极截止(最大):2mA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):1000 @ 25A,5V
  • 功率 - 最大:300W
  • 频率 - 转换:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-204AE
  • 供应商设备封装:TO-3
  • 包装:托盘
  • 其它名称:MJ11032GOS

MJ11032G供应商

更新时间:2023-01-31 20:54:10
  • 供应商
  • 产品型号
  • 服务标识
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 说明
  • 询价
  • MJ11032G

    MJ11032G
  • 严选现货

    严选现货= 现货+好口碑+品质承诺

    带有此标记的料号:

    1. 表示供应商具有较高市场知名度,口碑良好,缴纳了2万保证金,经维库认证中心严格审查。

    2. 供应商承诺此料号是“现货” ,如果无货或数量严重不足(实际数量不到显示数量一半),投诉成立奖励您500元。

  • -

  • ON

  • TO3/18+

  • -

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